あらゆる面方位に対応可能 高精度のサファイア基板

当社では、精密研磨加工技術を有しており単結晶サファイアが有する結晶格子面(c面、r面、a面、m面等)あらゆる面方位に対応したウェハ製造に対応しております。さらに、精密研磨加工でオフ角度を精密(0.1度以下)にコントロールしています。オフ角度の精密さ発光素子などのエピタキシャル・接合・貼り合わせ等の各種用途に合わせた品質を実現し各方面へのニーズに貢献しております。
ウェハ加工技術では一般的なLED 用途のStandard grade 基板に加え、高品質なPrime grade 基板をご用意しております。Prime grade 基板とは、高平坦:TTV<2μm、高洗浄(主要金属:K Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu
Zn)に対して、全反射蛍光X線(TXRF)測定による2E10/ cm2 形状制御技術によりTTV・BOW・WARP
などのコントロールを実現し、熱膨張係数の違いによりエピタキシャル成長中に起こる、反りなどのダメージを最小限にするサファイア基板をご提案させて頂きます。新たなプロセス開発・製品開発に貢献いたします。マイクロLED
用基板、深紫外LED 用基板、高周波デバイス用基板、AlN 成長用基板、Ga2O3 成長用基板などの開発用途として幅広くご利用頂いております。
結晶育成技術ではEFG法(Edge-defined Film-Fed Growth
Method)による単結晶育成技術を保有しております。
項目 | 仕様 | ||||
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直径 | φ2 インチ | φ4 インチ | φ6 インチ | φ8 インチ | φ12 インチ |
材質 | 人造サファイア( Al2O3 99.99%以上) | ||||
厚さ | 430±15μm | 650±15μm | 1300±20μm | 1300±20μm | 3000±20μm |
結晶方位 | c 面(0001) | ||||
オリフラ*長さ | 16±1mm | 30±1mm | 47.5±2.5mm | 47.5±2.5mm | ※要相談 |
オリフラ方位 | a 面 0±0.3° | ||||
TTV * | ≦10μm | ≦10μm | ≦15μm | ≦15μm | ※要相談 |
BOW * | -10 ~ 0μm | -15 ~ 0μm | -20 ~ 0μm | -25 ~ 0μm | ※要相談 |
Warp * | ≦15μm | ≦20μm | ≦25μm | ≦30μm | ※要相談 |
表面仕上 | Epi-ready (Ra<0.3nm) | ||||
裏面仕上 | Lapping (Ra 0.6 - 1.2μm) | ||||
梱包 | クリーンルーム内真空梱包 | ||||
Prime grade | 高品位洗浄参考値:パーティクル0.3μm 以上、0.18 個/ cm2以下、金属コンタミ2E10/ cm2以下 | ||||
備考 | 各種カスタマイズ可能:面方位a, r, m 面、結晶方位off 変更、形状規格変更、両面研磨など |
*オリフラ: 基板の表裏面がわかるように直線の箇所を設けています。 通常a軸は第一オリフラに垂直ですので軸方位もわかります
*TTV (Total Thickness Variation): ウェハー裏面基準面からの距離の最大値と最小値の差。ウェハー全面の厚みバラツキの値
*BOW:ウェハーの中央部で評価した反りの量。ウェハー表面と裏面からの等距離点を結んだ、中間面の凹凸の変位
*Warp:吸着固定しない状態のウェハー指定された裏面基準面よりウェハー中心面の距離の最大値と最小値の差

次世代半導体デバイス・エピタキシャル成長に向けた高品質化やサービス
- 高平坦形状(TTV・BOW・WARP などのコントロール)
- 高品位洗浄(低パーティクル・低メタルコンタミ)
- 基板への穴あけ加工、溝加工、切断、裏面研磨
- 基板清浄度、基板形状等の測定データ添付可能(オプション)
φ2インチ~φ8インチ、φ300mmなど仕様によっては在庫がございますのでお問い合わせ下さい。
NAPHIA™️ Prime grade基板
Prime grade基板とは、高平坦:TTV<2μm、高洗浄2E10/cm2以下(主要金属:K・Ti・Cr・Mn・Fe・Co・Ni・Cu・Znを全反射蛍光X線(TXRF)により測定)を実現した高品質なサファイア基板です。我々はLED以外の半導体用基板として、Si基板と同品質の清浄度を目指した結果、Prime洗浄として5E10/cm2を確立し量産販売しております。その後の改善で測定器(全反射蛍光X線)の検出限界に近い 2E10/cm2が達成できる見込みとなり、更なるHigh Prime grade洗浄基板の販売を目指しております。
