ワークを安定して扱うためのキャリアウエハ
NAPHIA™サファイアは半導体工程の各種ウェハの搬送時に使用されるキャリアウェハとしてご利用頂いております。当社で長年培ってきた研磨技術を活かし、超大型サイズとしてφ12インチ（φ300mm）までの支持基板、キャリアプレートの製造も可能となりました。半導体デバイスウェハの薄厚化加工におけるサポート基板として利用されるキャリアウェハは、薄厚化加工における重要なパラメータであるTTV（ウェハ面内厚みばらつき）もクラス最高レベルの小TTVをご提供致します。また、穴開け加工を応用し小口径ウェハを大口径ウェハ用装置で使用するためのアダプタ用キャリアウェハもご提供可能です。穴加工については貫通タイプやザグリタイプ、ご要望に応じ対応可能です。
どの仕様にも穴あけ、溝などの追加工、また、再研磨・再洗浄が可能ですので、繰り返しお使い頂けます。サファイアはガラス/セラミックス製と比べ脱ガスによる汚染、歪みや変形といった経年劣化の心配がないため、プロセス条件の変更や変化を気にせずご利用頂けます。また、耐熱性・耐薬品性・耐プラズマ性に優れた素材であるため高温プロセスや厳しい環境下でも使用可能です。
*キャリアウェハ：半導体装置内での基板搬送用治具として使用されます。
キャリアウェハに適している特徴
- コンタミネーション（汚染）しない
- 平滑性が高く、滑りが良い
- 高強度で長持ちする
- 高温にも耐える
- 高絶縁性
- 穴あけ等加工ができ吸着しての搬送も可能
- 耐腐食性
- 再利用・再研磨が可能 (スペックによりますので、お問い合わせください)
| 項目 | 仕様 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 直径 | φ4 インチ | φ5 インチ | φ6 インチ | φ8 インチ | φ12 インチ |
| 材質 | 人造サファイア（ Al2O3 99.99%以上） | ||||
| 厚さ | 1±0.003mm | 3±0.005mm | |||
| 結晶方位 | c 面(0001) / r 面(-1012) | c 面(0001) | |||
| オリフラ | オリフラ / ノッチ / 無し | ||||
| TTV * | ≦2.5μm | ≦3.0μm | |||
| 表面仕上げ | Polish (Ra＜0.3nm) | ||||
| 裏面仕上げ | Polish (Ra＜0.3nm) | ||||
| 備考 | 各種カスタマイズ可能：厚さ変更、結晶方位変更、片面研磨など オプション：穴あけ加工、レーザ―マーク対応、納品時厚さ層別、再研磨対応 |
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